onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 22 A 41 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 806-3507
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86102LZ
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 7,87
(ohne MwSt.)
€ 9,445
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 2 775 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | € 1,574 | € 7,87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 806-3507
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86102LZ
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin FDMC7660 WDFN
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin FDMS86263P WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin FDMC86102L Leistung 33
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin FDMC86116LZ WDFN
