onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 31 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
166-2697
Herst. Teile-Nr.:
FDMS8622
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

97mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

1.05mm

Breite

6 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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