Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN

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130-0977
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5210TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.9mm

Breite

6 mm

Automobilstandard

Nein

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