Vishay SiR462DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 19 A 4.8 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 710-3402
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR462DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SiR462DP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Breite | 5.89mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SiR462DP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Breite 5.89mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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