Vishay SiA462DJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
814-1222
Herst. Teile-Nr.:
SIA462DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SiA462DJ

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.018Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Lead (Pb)-Free

Länge

2.15mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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