Vishay ThunderFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.3 A 19 W, 6-Pin SC-70

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 5,54

(ohne MwSt.)

€ 6,64

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 180€ 0,277€ 5,54
200 - 480€ 0,228€ 4,56
500 - 980€ 0,211€ 4,22
1000 - 1980€ 0,206€ 4,12
2000 +€ 0,201€ 4,02

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-1441
Herst. Teile-Nr.:
SIA416DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

ThunderFET

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.5nC

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.75mm

Breite

2.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, mittlerer Spannung/thunderfet®, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links