Vishay Siliconix TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L

RS Best.-Nr.:: 178-3667
Herst. Teile-Nr.:: SiA106DJ-T1-GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L

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RS Best.-Nr.:: 178-3667
Herst. Teile-Nr.:: SiA106DJ-T1-GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SC-70-6L
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	19 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	1.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,9 nC bei 10 V
Länge	2.2mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	1mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay Siliconix TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L

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