Vishay SI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.9 A 1.7 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 279-9891
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1480BDH-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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| 250 - 975 | € 0,322 | € 8,05 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9891
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1480BDH-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | SI | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.212Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie SI | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.212Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil