Vishay SI2324BDS N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 1.9 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

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RS Best.-Nr.:
736-344
Herst. Teile-Nr.:
SI2324BDS-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-23 (TO-236AB)

Serie

SI2324BDS

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.21Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.86nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde zur Optimierung von Power-Management-Anwendungen entwickelt und verfügt über eine robuste 100-V-Ablass-Quellenspannung und verbesserte thermische Eigenschaften für einen effizienten Betrieb.

Die hohe Wärmebeständigkeit erhöht die Zuverlässigkeit

Entwickelt für LED-Hintergrundbeleuchtung und DC/DC-Wandleranwendungen

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