Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 87 A 38 W, 3-Pin PG-TO-220 FullPAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

€ 59,05

(ohne MwSt.)

€ 70,85

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +€ 1,181€ 59,05

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-2995
Herst. Teile-Nr.:
IPA029N06NM5SXKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

87A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

PG-TO-220 FullPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon im TO-220 fullPAK-Gehäuse verfügt über eine erhöhte Leistungsdichte, verbesserten Wirkungsgrad mit niedrigem RDS und niedrigeren Systemkosten. Das TO-220 FullPAK-Paket-Portfolio an Leistungs-MOSFETs ist eine perfekte Lösung für die synchrone Gleichrichtung.

Weniger Parallelen erforderlich

Niederspannungsüberschreitung

Weniger Wärmeerzeugung

Verwandte Links