Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 8 A 167 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
260-1218
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R065S7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ermöglicht die beste Preisleistung für Niedrigfrequenzschaltanwendungen. CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET mit deutlicher Steigerung der Energieeffizienz. CoolMOS S7 ist für "Statische Schaltung" und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais und Überlastschalter sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichtertopologien geeignet.

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