Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 8 A 167 W, 3-Pin TO-220

Zwischensumme (1 Stange mit 500 Stück)*

€ 918,00

(ohne MwSt.)

€ 1.101,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 01. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
500 +€ 1,836€ 918,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
260-1217
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R065S7XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.45 mm

Länge

10.36mm

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ermöglicht die beste Preisleistung für Niedrigfrequenzschaltanwendungen. CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET mit deutlicher Steigerung der Energieeffizienz. CoolMOS S7 ist für "Statische Schaltung" und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais und Überlastschalter sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichtertopologien geeignet.

Hohe Impulsstromfähigkeit

Erhöhte Systemleistung

Kompakteres und einfacheres Design

Geringere BOM und/oder TCO über längere Lebensdauer

Stoß- und Vibrationsbeständigkeit

Verwandte Links