Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 80 V / 120 A 167 W, 3-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-3891
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP034N08N5AKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3891
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP034N08N5AKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.97V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.97V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 80-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Server-Netzteile entwickelt. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adapter verwendet werden. In sieben verschiedenen Gehäusen bieten die OptiMOS 5 80-V-MOSFETs den branchenweit niedrigsten RDS(on). Zusätzlich hat der OptiMOS 5 80 V im Vergleich zur vorherigen Generation eine Reduzierung des RDS(on) von bis zu 43 %.
Ideal für hohe Schaltfrequenz
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Höchste Systemeffizienz
Geringere Schalt- und Leitungsverluste
Weniger Parallelführung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Niedrige Spannungsüberschreitung
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