Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 20 A 81 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
258-3894
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R160P7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS P7 Super Junction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS P6-Serie. Er sorgt weiterhin für eine Balance zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Entwurfsprozess. Der beste RonxA in seiner Klasse und die eigentlich niedrige Gate-Ladung der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für eine hohe Effizienz.

Integrierter Gate-Widerstand RG

Robuste Gehäusediode

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