Infineon IPP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 194 A 250 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-1208
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP016N06NF2SAKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 6,73
(ohne MwSt.)
€ 8,076
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 892 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,365 | € 6,73 |
| 20 - 48 | € 3,025 | € 6,05 |
| 50 - 98 | € 2,825 | € 5,65 |
| 100 - 198 | € 2,615 | € 5,23 |
| 200 + | € 2,43 | € 4,86 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1208
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP016N06NF2SAKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 194A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IPP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 155nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.75mm | |
| Breite | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 194A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IPP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 155nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.75mm | ||
Breite 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist gemäß JEDEC-Standard qualifiziert und für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 80 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 9.9 A TO-220