Infineon Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 180 A 300 W PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 258-7759
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N04S400ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-7759
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N04S400ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC, MSL1, RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC, MSL1, RoHS | ||
Der OptiMOS von Infineon bietet niedrige Schalt- und Leitungsverluste für einen hohen thermischen Wirkungsgrad. Es verfügt außerdem über eine optimierte Gesamt-Gate-Ladung, die kleinere Treiber-Ausgangsstufen ermöglicht.
AEC qualifiziert
Grünes Produkt
Ultra-niedrige RDS(on)
100 % Avalanche-getestet