Infineon AIMBG75R N-Kanal, SMD MOSFET 750 V / 64 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 762-869
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMBG75R040M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 169nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 234W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15mm | |
| Länge | 9.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie AIMBG75R | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 169nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 234W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15mm | ||
Länge 9.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der MOSFET von Infineon ist ein Hochleistungs-Leistungsgerät, das für Automobilanwendungen entwickelt wurde und effiziente Schaltfunktionen und robuste Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen bietet.
Robuste 750-V-Technologie gewährleistet hohe Zuverlässigkeit und Leistung
Entwickelt mit verbesserter Wärmeableitung zur Verbesserung der Systemeffizienz
Verfügt über außergewöhnliche Schalteigenschaften für erhöhte Betriebsfrequenz
Stark reduzierte Schaltverluste durch innovative Gate-Steuermechanismen
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