Infineon AIMBG75R N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 750 V / 64 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
762-866
Herst. Teile-Nr.:
AIMBG75R007M2HXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Serie

AIMBG75R

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

31mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

23V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

234W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der MOSFET von Infineon ist ein Hochleistungs-Leistungsgerät, das für Automobilanwendungen entwickelt wurde und effiziente Schaltfunktionen und robuste Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen bietet.

Arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 750 V mit außergewöhnlichem Wärmemanagement

Best-in-Class-RDS(on) für verbesserte Energieeffizienz

Gewährleistet verbesserte Robustheit für Busspannungen von mehr als 500 V

Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen in Soft-Switching-Topologien

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