Infineon AIMBG75R N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 750 V / 64 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 762-866
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMBG75R007M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 29,62
(ohne MwSt.)
€ 35,54
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 29,62 |
| 10 - 99 | € 24,23 |
| 100 - 999 | € 22,03 |
| 1000 + | € 20,94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-866
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMBG75R007M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 234W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie AIMBG75R | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 234W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der MOSFET von Infineon ist ein Hochleistungs-Leistungsgerät, das für Automobilanwendungen entwickelt wurde und effiziente Schaltfunktionen und robuste Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen bietet.
Arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 750 V mit außergewöhnlichem Wärmemanagement
Best-in-Class-RDS(on) für verbesserte Energieeffizienz
Gewährleistet verbesserte Robustheit für Busspannungen von mehr als 500 V
Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen in Soft-Switching-Topologien
Verwandte Links
- Infineon AIMBG75R N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon AIMBG75R Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7