Infineon IPB057N06N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:
273-2997
Herst. Teile-Nr.:
IPB057N06NATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IPB057N06N

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Betriebstemperatur min.

-5°C

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

40mm

Höhe

1.5mm

Breite

40 mm

Normen/Zulassungen

JEDEC 1, IEC61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon ist für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten optimiert. Darüber hinaus sind diese Geräte eine perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Reduzierung der Systemkosten

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