Infineon IPB057N06N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin PG-TO263-3

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 9,12

(ohne MwSt.)

€ 10,945

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 950 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 1,824€ 9,12
50 - 95€ 1,692€ 8,46
100 - 245€ 1,492€ 7,46
250 - 495€ 1,44€ 7,20
500 +€ 1,27€ 6,35

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-2998
Herst. Teile-Nr.:
IPB057N06NATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IPB057N06N

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-5°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

40mm

Normen/Zulassungen

JEDEC 1, IEC61249-2-21

Höhe

1.5mm

Breite

40 mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon ist für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten optimiert. Darüber hinaus sind diese Geräte eine perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Reduzierung der Systemkosten

Verwandte Links