Infineon N-Kanal MOSFET 40 V / 180 A 300 W PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:
258-7073
Herst. Teile-Nr.:
IPB180N04S400ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC, MSL1, RoHS

Der OptiMOS von Infineon bietet niedrige Schalt- und Leitungsverluste für einen hohen thermischen Wirkungsgrad. Es verfügt außerdem über eine optimierte Gesamt-Gate-Ladung, die kleinere Treiber-Ausgangsstufen ermöglicht.

AEC qualifiziert

Grünes Produkt

Ultra-niedrige RDS(on)

100 % Avalanche-getestet

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