Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -50 A 58 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3845
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 3,26
(ohne MwSt.)
€ 3,92
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 840 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,63 | € 3,26 |
| 20 - 48 | € 1,465 | € 2,93 |
| 50 - 98 | € 1,385 | € 2,77 |
| 100 - 198 | € 1,29 | € 2,58 |
| 200 + | € 1,195 | € 2,39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3845
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 58W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 58W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungseinbußen für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.
Keine Ladungspumpe erforderlich für High-Side-Antrieb
Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis
Höchste Strombelastbarkeit
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W PG-TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -85 A 88 W TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 3-Pin TO-252