Infineon IPD Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2518
Herst. Teile-Nr.:
IPD50P04P413ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

58W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon -40 V, P-Ch, max. 12,6 MΩ, Kfz-MOSFET, DPAK, OptiMOS TM-P2.

P-Kanal - Normaler Pegel - Verbesserungsmodus

AEC-Zulassung

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

100 % Lawinenprüfung

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