Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -73 A 75 W, 3-Pin TO-252

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 3,60

(ohne MwSt.)

€ 4,32

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 222 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 1,80€ 3,60
20 - 48€ 1,62€ 3,24
50 - 98€ 1,52€ 3,04
100 - 198€ 1,405€ 2,81
200 +€ 1,295€ 2,59

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3862
Herst. Teile-Nr.:
IPD70P04P409ATMA2
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-73A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungseinbußen für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Keine Ladungspumpe erforderlich für High-Side-Antrieb

Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis

Höchste Strombelastbarkeit

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.