Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -73 A 75 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3862
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70P04P409ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -73A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -73A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 75 W Verlustleistung -40 V Drain-Source-Spannung - IPD70P04P409ATMA2
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungstransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C und eignet sich für Anwendungen, bei denen hohe Strombelastbarkeit und kompakte Montage erforderlich sind. Das Gerät ist RoHS-konform und erfüllt den Kfz-Teststandard AEC-Q101 für den Einsatz in Kfz-Elektronik.
Merkmale und Vorteile:
• Rds(on) von 8.9 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Der kontinuierliche Ablassstrom von -73 A unterstützt hohe Stromanforderungen
• 75 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 54 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Das TO‐252-Gehäuse erleichtert die kompakte Oberflächenmontage
• Der kontinuierliche Ablassstrom von -73 A unterstützt hohe Stromanforderungen
• 75 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 54 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Das TO‐252-Gehäuse erleichtert die kompakte Oberflächenmontage
Anwendungsbereich
• Geeignet für das Schalten von Hochstromlasten in Automobilsystemen
• Ideal für den Verpolungsschutz in Stromschienen
• Einsatz mit Power-Management-Schaltkreisen in der Fahrzeugelektronik
• Kann für die synchrone Steuerung in Gleichstromstufen verwendet werden
• Geeignet für thermisch stabile Designs über weite Temperaturbereiche
• Ideal für den Verpolungsschutz in Stromschienen
• Einsatz mit Power-Management-Schaltkreisen in der Fahrzeugelektronik
• Kann für die synchrone Steuerung in Gleichstromstufen verwendet werden
• Geeignet für thermisch stabile Designs über weite Temperaturbereiche
Welche Nennspannung gilt zwischen Drain und Quelle?
Das Gerät ist für eine maximale Drain-to-Source-Spannung von -40 V ausgelegt.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden, um Schäden zu vermeiden?
Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Gate-Spannungen zu vermeiden.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Leiterplattenmontage aus?
Der TO‐252-Formfaktor für die Oberflächenmontage unterstützt Standard-Reflow-Lötprozesse und kompakte Leiterplatten-Layouts.
Welche thermischen Extreme kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt, um eine breite thermische Widerstandsfähigkeit zu gewährleisten.
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