Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3869
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90P04P405ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 118nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 125 W maximale Verlustleistung – IPD90P04P405ATMA2
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Hochstromanwendungen, bei denen ein geringer Einschaltwiderstand und eine robuste Gate-Handhabung erforderlich sind. Das Gerät erfüllt die Zuverlässigkeitsstandards der Automobilindustrie und die Umweltvorschriften für den Einsatz in geregelten Bereichen.
Merkmale und Vorteile:
• Rds(on) von 4.7 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 90 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromschaltlasten
• Typische Gate-Ladung von 118 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Source-Toleranz von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
• Die Verlustleistung von 125 W sorgt für hohe Leistung in kompakten Baugruppen
• 90 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromschaltlasten
• Typische Gate-Ladung von 118 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Source-Toleranz von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
• Die Verlustleistung von 125 W sorgt für hohe Leistung in kompakten Baugruppen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Gleichstromstufen
• Ideal für Kfz-Stromversorgungsmodule unter AEC-Q101-Anforderungen
• Wird mit kompakten Kühlkörpern in oberflächenmontierten Stromversorgungsdesigns verwendet
• Kann für synchrone Schaltvorgänge in Leistungswandlern verwendet werden
• Ideal für Kfz-Stromversorgungsmodule unter AEC-Q101-Anforderungen
• Wird mit kompakten Kühlkörpern in oberflächenmontierten Stromversorgungsdesigns verwendet
• Kann für synchrone Schaltvorgänge in Leistungswandlern verwendet werden
Welchem Temperaturbereich kann er im Betrieb standhalten?
Es arbeitet von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht so den Einsatz in breiten thermischen Umgebungen.
Wie wirkt sich die Wahl des Gehäuses auf die Montage aus?
Das TO-252-Gehäuse erleichtert die Aufputzmontage und die Wärmeleitung an den Leiterplatten.
Welche Normen und Richtlinien erfüllt er?
Er entspricht der Norm DIN IEC 68-1 und ist gemäß den Spezifikationen RoHS-konform.
Welche Kanalcharakteristiken bestimmen das Schaltverhalten?
Das Gerät verfügt über einen P-Typ-Enhancement-Modus, der die Polarität und das gate-gesteuerte Leitungsverhalten definiert.
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