Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 258-3868
Herst. Teile-Nr.:: IPD90P04P405ATMA2
Hersteller:: Infineon

Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 258-3868
Herst. Teile-Nr.:: IPD90P04P405ATMA2
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-90A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-40V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	118nC
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Durchlassspannung Vf	-1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -90A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -40V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Durchlassspannung Vf -1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD90P04P405ATMA2

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 125 W maximale Verlustleistung – IPD90P04P405ATMA2

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Hochstromanwendungen, bei denen ein geringer Einschaltwiderstand und eine robuste Gate-Handhabung erforderlich sind. Das Gerät erfüllt die Zuverlässigkeitsstandards der Automobilindustrie und die Umweltvorschriften für den Einsatz in geregelten Bereichen.

Merkmale und Vorteile:

• Rds(on) von 4.7 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 90 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromschaltlasten
• Typische Gate-Ladung von 118 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Source-Toleranz von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
• Die Verlustleistung von 125 W sorgt für hohe Leistung in kompakten Baugruppen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Gleichstromstufen
• Ideal für Kfz-Stromversorgungsmodule unter AEC-Q101-Anforderungen
• Wird mit kompakten Kühlkörpern in oberflächenmontierten Stromversorgungsdesigns verwendet
• Kann für synchrone Schaltvorgänge in Leistungswandlern verwendet werden

Welchem Temperaturbereich kann er im Betrieb standhalten?

Es arbeitet von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht so den Einsatz in breiten thermischen Umgebungen.

Wie wirkt sich die Wahl des Gehäuses auf die Montage aus?

Das TO-252-Gehäuse erleichtert die Aufputzmontage und die Wärmeleitung an den Leiterplatten.

Welche Normen und Richtlinien erfüllt er?

Er entspricht der Norm DIN IEC 68-1 und ist gemäß den Spezifikationen RoHS-konform.

Welche Kanalcharakteristiken bestimmen das Schaltverhalten?

Das Gerät verfügt über einen P-Typ-Enhancement-Modus, der die Polarität und das gate-gesteuerte Leitungsverhalten definiert.