Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W PG-TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3842
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3842
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 58W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße PG-TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 58W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der OptiMOS-2-Leistungstransistor von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsstromverluste für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.
Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis
Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V
Höchste Strombelastbarkeit
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