Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 35 A 71 W, 3-Pin PG-TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-3839
Herst. Teile-Nr.:
IPD35N12S3L24ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Serie

IPD

Gehäusegröße

PG-TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-T von Infineon ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.

N-Kanal – Verstärkungsmodus

Kfz-Zulassung AEC Q101

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

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