Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 136 A 250 W, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 4,28

(ohne MwSt.)

€ 5,14

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 000 Einheit(en) mit Versand ab 31. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 4,28
10 - 24€ 4,08
25 - 49€ 3,90
50 - 99€ 3,73
100 +€ 3,47

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3794
Herst. Teile-Nr.:
IPB060N15N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

136A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54.5nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die 150-V-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS 5 von Infineon sind besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Roller sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen. Die neuen Produkte bieten eine durchgreifende Reduzierung von RDS(on) und Qrr ohne Kompromisse bei FOM gd und FOM OSS, wodurch der Entwurfsaufwand effektiv reduziert und gleichzeitig die Effizienz des Systems optimiert wird. Darüber hinaus erhöht die extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung die Schaltungsrobustheit.

Geringere Ausgangsladung

Extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung

Geringere Parallelbildung

Konstruktionen mit höherer Leistungsdichte

Verwandte Links