Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 250 W TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3803
Herst. Teile-Nr.:
IPB180N10S403ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS-T2-Power-Transistor ist ein N-Kanal-Normal-Level-Enhancement-Modus. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.

AEC-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

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