Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 161 A 78 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0683
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC019N04LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 161A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 161A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon OptiMOS 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen verwendet werden, einschließlich Motorsteuerung und DC/DC-Wandler mit schneller Schaltung.
Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand R DS(on)
Ideal für schnelle Schaltanwendungen
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelführung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Systemkostenreduzierung
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