Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 119 A 63 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 218-2973
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC026N04LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
€ 1.695,00
(ohne MwSt.)
€ 2.035,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | € 0,339 | € 1.695,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-2973
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC026N04LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 119A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 119A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-Serie. Der OptiMOS TM 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Überlegener Wärmewiderstand
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin BSC026N04LSATMA1 TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
