Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 161 A 78 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0682
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC019N04LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- BSC019N04LSATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 161A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.20mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 161A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.20mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 161 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC019N04LSATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für thermisch belastete Umgebungen. Das Gerät bietet geringe Leitungsverluste und wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für dichte Leiterplattenlayouts geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• 1,20 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für mehr Effizienz
• Die Verlustleistung von 78 W unterstützt den dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• 21 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Die Gate-Bewertung von ±20 V toleriert robuste Antriebsspannungen
• Der Bereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht eine extreme Temperaturbeständigkeit
• Die Verlustleistung von 78 W unterstützt den dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• 21 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Die Gate-Bewertung von ±20 V toleriert robuste Antriebsspannungen
• Der Bereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht eine extreme Temperaturbeständigkeit
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlungsstufen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Einsatz mit MOSFET-Treibern in Motorsteuerungsumrichtern
• Kann für die Server- und Telekommunikations-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Einsatz mit MOSFET-Treibern in Motorsteuerungsumrichtern
• Kann für die Server- und Telekommunikations-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
Welcher Gehäusetyp ermöglicht kompakte Leiterplatten-Layouts?
Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das Leiterplattenfläche spart und die thermische Schnittstelle erleichtert.
Wie verhält sich das Gerät bei hohen Dauerstromstärken?
Der Transistor unterstützt einen kontinuierlichen Ablassstrom von 161 A und ermöglicht so ein dauerhaftes Hochstromschalten, wenn er mit einem geeigneten Wärmemanagement montiert wird.
Welche Normen und Materialbeschränkungen gelten für die Komponente?
Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen und entspricht den Werkstoffspezifikationen der IEC 61249-2-21.
Wie hoch ist die maximale Spannungsfestigkeit zwischen Drain und Quelle?
Die maximale zulässige Ablass-Quellenspannung beträgt 40 V, was die sichere Betriebsspannungsgrenze definiert.
Welche Kanalkonfiguration verwendet der Transistor?
Es verwendet eine N-Kanal-Konfiguration, die für Low-Side- oder synchrone Schalttopologien geeignet ist.