Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7352
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC028N06NSTATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 11,94
(ohne MwSt.)
€ 14,33
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 1 925 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,388 | € 11,94 |
| 50 - 120 | € 2,078 | € 10,39 |
| 125 - 245 | € 1,934 | € 9,67 |
| 250 - 495 | € 1,814 | € 9,07 |
| 500 + | € 1,672 | € 8,36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7352
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC028N06NSTATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 137A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 137A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET im SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Nennleistung bietet die TJ_MAX-Funktion von 175 °C entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebstemperatur der Verbindung oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebstemperatur der Verbindung. Darüber hinaus wird eine Verbesserung um 20 % im sicheren Betriebsbereich (SOA) erreicht. Diese neue Gehäusefunktion ist perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server geeignet.
Niedriger RDS (EIN)
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Verbesserte 175 °C-Fähigkeit in SuperSO8
Längere Lebensdauer
Höchste Effizienz und Leistungsdichte
Höchste Systemzuverlässigkeit
Thermische Robustheit
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPD30N06S4L23ATMA2 TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPD90N06S407ATMA2 TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin BSZ100N06NSATMA1 TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin BSC13DN30NSFDATMA1 TDSON
