Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 40 A 36 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7362
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ100N06NSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
€ 13,10
(ohne MwSt.)
€ 15,72
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 2 360 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,655 | € 13,10 |
| 100 - 180 | € 0,622 | € 12,44 |
| 200 - 480 | € 0,597 | € 11,94 |
| 500 - 980 | € 0,57 | € 11,40 |
| 1000 + | € 0,531 | € 10,62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7362
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ100N06NSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.35mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.35mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 60V ist für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS) optimiert, wie sie in Servern und Desktops und Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus sind diese Geräte die perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen wie Motorsteuerung, Solar-Mikrowechselrichter und schnell schaltende DC/DC-Wandler.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
40 % geringerer R DS(on) als alternative Geräte
40 % Verbesserung des FOM gegenüber ähnlichen Geräten
RoHS-konform - halogenfrei
MSL1-ausgelegt
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Senkung der Systemkosten
Sehr niedrige Spannungsübersteuerung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin BSZ099N06LS5ATMA1 TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPD30N06S4L23ATMA2 TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin IPZ40N04S5L4R8ATMA1 TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin BSC028N06NSTATMA1 TDSON