Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 40 A 36 W, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 220-7361
Herst. Teile-Nr.:: BSZ100N06NSATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 40 A 36 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:: 220-7361
Herst. Teile-Nr.:: BSZ100N06NSATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TSDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	36W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	12nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.1mm
	Länge	5.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TSDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 36W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.1mm
	Länge 5.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.2mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ100N06NSATMA1

MOSFET und Diode der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ100N06NSATMA1

Diese MOSFET- und Diodenkomponente ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät für Leistungsschaltanwendungen, die geringe Leitungsverluste und eine integrierte Diodenleistung erfordern. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Designs, die eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern, während er in einem kompakten TSDSON-Gehäuse untergebracht ist.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 1 mΩ maximaler RDS(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromstufen
• 12 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Schaltverhalten
• Die maximale Verlustleistung von 36 W hält die thermische Last kurz aufrecht
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Platz für Antriebsschaltkreise

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern
• Ideal für die Umschaltung der Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Motorantrieb-Halbbrücken, die einen hohen Strombedarf erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Lastschaltung verwendet werden
• Zur Belastungspunktregelung in kompakten Systemen

Welchen Temperaturbereich verträgt er im Betrieb?

Er ist für den Betrieb bei Temperaturen von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.

Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?

Er ist für die Oberflächenmontage in einem TSDSON-Gehäuse vorgesehen.

Wie viele Anschlussstifte sind für Leiterplatten-Layout verfügbar?

Das Gerät verwendet acht Stifte für elektrische und mechanische Verbindungen.

Welchen Kanal-Leitungsmodus nutzt er?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus.