Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 257 A 188 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0681
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC014N06NSTATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 257A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.45mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 89nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 257A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.45mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 89nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS 5 in SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigeren Nennwerten bietet die 175 °C TJ_MAX-Funktion entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebsverbindungstemperatur oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebsverbindungstemperatur. Darüber hinaus wird eine Verbesserung des sicheren Betriebsbereichs um 20 % erreicht. Dieses neue Gehäuse passt perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server.
Niedriger RDS(on)
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Längere Lebensdauer
Höchster Wirkungsgrad und höchste Leistungsdichte
Höchste Systemzuverlässigkeit
Thermische Robustheit