Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 3.6 A 4.9 W PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-9446
Herst. Teile-Nr.:
IRLHS6376TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

4.9W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRLHS-Serie ist ein 30-V-Dual-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse

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