Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 3.6 A 4.9 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9447
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6376TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
€ 3,06
(ohne MwSt.)
€ 3,67
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,306 | € 3,06 |
| 100 - 240 | € 0,292 | € 2,92 |
| 250 - 490 | € 0,26 | € 2,60 |
| 500 - 990 | € 0,184 | € 1,84 |
| 1000 + | € 0,162 | € 1,62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9447
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6376TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.9W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.9W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRLHS-Serie ist ein 30-V-Dual-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 3.6 A 4.9 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 21 A 37 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 20 V / 22 A 9.6 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 40 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 4-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.2 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 8.3 A 2 W TSOP-6