Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9382
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7440TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 7,32
(ohne MwSt.)
€ 8,785
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 80 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 3 930 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,464 | € 7,32 |
| 50 - 120 | € 1,318 | € 6,59 |
| 125 - 245 | € 1,228 | € 6,14 |
| 250 - 495 | € 1,142 | € 5,71 |
| 500 + | € 1,054 | € 5,27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9382
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7440TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 159A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 92nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 159A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 92nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 117 A 78 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 12.5 A 11.5 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 40 A 46 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 265 A 156 W PQFN