Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 159 A 104 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9382
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7440TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 8,58
(ohne MwSt.)
€ 10,30
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 3 915 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,716 | € 8,58 |
| 50 - 120 | € 1,546 | € 7,73 |
| 125 - 245 | € 1,44 | € 7,20 |
| 250 - 495 | € 1,34 | € 6,70 |
| 500 + | € 1,234 | € 6,17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9382
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7440TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 159A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 92nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 900μm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 159A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 92nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 900μm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der HEXFET-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 159 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFH7440TRPBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor mit Enhancement-Modus, der für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und entspricht den RoHS-Anforderungen, wodurch er sich für Umgebungen eignet, in denen kompakte Schaltungen mit niedrigem Widerstand ohne Zertifizierungsbeschränkungen für die Automobilindustrie erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 2,4 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste
• 104W Pd ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 159 A Dauerstrom unterstützt schwere Lasten
• 92 nC Gate-Ladung gleicht Antriebsgeschwindigkeit und Steuerung aus
• 20 V Vgs max bietet Gate-Überspannungsschutz
• 104W Pd ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 159 A Dauerstrom unterstützt schwere Lasten
• 92 nC Gate-Ladung gleicht Antriebsgeschwindigkeit und Steuerung aus
• 20 V Vgs max bietet Gate-Überspannungsschutz
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Gleichstromstufen
• Ideal für Schaltnetzteile
• Wird mit kompakten Wärmemanagementsystemen verwendet
• Kann für Motorantriebs-Wechselrichterbeine verwendet werden
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Wandlern verwendet
• Ideal für Schaltnetzteile
• Wird mit kompakten Wärmemanagementsystemen verwendet
• Kann für Motorantriebs-Wechselrichterbeine verwendet werden
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Wandlern verwendet
Welche Montageart ist erforderlich?
Er wird in einem PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Effizienz aus?
Seine Durchlassspannung von 0,9 V reduziert den Spannungsabfall während der Leitung, was sich auf die Gesamtsystemverluste auswirkt.
Ist es für Kfz-konforme Designs geeignet?
Er ist nicht für Automobilstandards qualifiziert und sollte nicht ausgewählt werden, wenn eine Automobilzertifizierung erforderlich ist.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 159 A 104 W PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 117 A 78 W PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 265 A 156 W PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 259 A 156 W PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 7.60 A 4.9 W PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 20 V / 22 A 9.6 W PQFN
