Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 20 V / 22 A 9.6 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9445
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-550
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6242TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 9.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 9.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 22 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRLHS6242TRPBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Gerät mit Durchsteckverstärkung, das für Schalt- und Leistungssteuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Umgebungen, in denen ein kompaktes Gehäuse und ein ansehnlicher Gleichstrom erforderlich sind. Wichtige elektrische Grenzwerte und thermische Eigenschaften unterstützen die Integration in Baugruppen, die einen kontrollierten Gate-Antrieb und eine moderate Verlustleistung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Leitungswiderstand sorgt für geringere Leitungsverluste
• Hoher Dauerstrom für höhere Lastströme
• Mäßige Gate-Ladung ermöglicht ein relativ schnelles Umschalten
• Breiter Betriebstemperaturbereich unterstützt raue Umgebungen
• Kontrollierte Gate-Nennspannung schützt vor Antriebsüberspannung
• Hoher Dauerstrom für höhere Lastströme
• Mäßige Gate-Ladung ermöglicht ein relativ schnelles Umschalten
• Breiter Betriebstemperaturbereich unterstützt raue Umgebungen
• Kontrollierte Gate-Nennspannung schützt vor Antriebsüberspannung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Mittelspannungs-Gleichstromschaltung und Laststeuerung
• Ideal für Komponenten der Leistungsstufe in industriellen Geräten
• Verwendung mit Motorantriebsschaltkreisen, die eine 22-A-Fähigkeit erfordern
• Kann für Batteriemanagement- und Schutzsysteme verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungswandler in PQFN-Gehäusen
• Ideal für Komponenten der Leistungsstufe in industriellen Geräten
• Verwendung mit Motorantriebsschaltkreisen, die eine 22-A-Fähigkeit erfordern
• Kann für Batteriemanagement- und Schutzsysteme verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungswandler in PQFN-Gehäusen
Welche thermische Leistung sollte unter Last erwartet werden?
Es leitet bis zu 9,6 W ab, sodass ein Wärmemanagement wie Kühlkörper oder Luftstrom erforderlich ist, um die Sperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.
Welche Gate-Drive-Grenzwerte müssen bei der Konstruktion beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 12 V nicht überschreiten, um Überspannungen auf der Eingangs-Gate-Struktur zu vermeiden.
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit großen Umgebungstemperaturschwankungen.
Welche Schalteigenschaften sind für das Transienten-Design relevant?
Die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 14 nC unter Nenn-Gate-Drive-Bedingungen, was die Gate-Driver-Grösse und Schaltverlustberechnungen informiert.
Entspricht dieses Gerät den gängigen Umweltrichtlinien?
Er erfüllt die RoHS-Kriterien, was darauf hinweist, dass in seiner Konstruktion keine eingeschränkten gefährlichen Substanzen enthalten sind.
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