Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 40 A 37 W PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-5802
Herst. Teile-Nr.:
IRLHM620TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

37W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Oberflächenmontiertes Gehäuse nach Industriestandard

Potenzielle Alternative zum High-RDS(on)-SuperSO8-Gehäuse

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