Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 49 A 250 W PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-9376
Herst. Teile-Nr.:
IRFH6200TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

155nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 20-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

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