Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 49 A 250 W PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 7,73

(ohne MwSt.)

€ 9,275

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3 865 Einheit(en) mit Versand ab 25. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +€ 1,546€ 7,73

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-9377
Herst. Teile-Nr.:
IRFH6200TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

155nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 20-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

Verwandte Links

Recently viewed