Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 43 A 320 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
257-9428
Herst. Teile-Nr.:
IRFS38N20DTRLP
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

54mΩ

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

320W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist ein 200-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)

Kann wellenförmig gelötet werden

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