Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 43 A 320 W TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 4,57

(ohne MwSt.)

€ 5,484

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 638 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 2,285€ 4,57
20 - 48€ 2,055€ 4,11
50 - 98€ 1,92€ 3,84
100 - 198€ 1,78€ 3,56
200 +€ 1,665€ 3,33

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-9428
Herst. Teile-Nr.:
IRFS38N20DTRLP
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

54mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

320W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist ein 200-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)

Kann wellenförmig gelötet werden

Verwandte Links