Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 43 A 71 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
257-9408
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3806TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.8mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRFR-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

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