Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 1.6 A 1 W SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 257-9394
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL4310TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFL-Serie von Infineon ist ein 100-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem SOT-223-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
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