Infineon HEXFET Fifth Generation N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 1.9 A 2.1 W SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 257-5538
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-532
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL014NTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-5538
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-532
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- IRFL014NTRPBF
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET Fifth Generation | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie HEXFET Fifth Generation | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um extrem niedrige Werte zu erreichen.
Planare Zellstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage
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