Infineon HEXFET Fifth Generation Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 1.9 A 2.1 W SOT-223

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 2,13

(ohne MwSt.)

€ 2,56

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4 860 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +€ 0,213€ 2,13

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-5817
Herst. Teile-Nr.:
IRFL014NTRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

HEXFET Fifth Generation

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.16Ω

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um extrem niedrige Werte zu erreichen.

Planare Zellstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage

Verwandte Links