Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 10 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-9448
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR120NTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- 257-9448
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR120NTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRLR-Serie ist ein 100-V-Einfach-N-Kanal-IR-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
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