Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 10 A TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

€ 572,00

(ohne MwSt.)

€ 686,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 - 2000€ 0,286€ 572,00
4000 +€ 0,271€ 542,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9448
Herst. Teile-Nr.:
IRLR120NTRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRLR-Serie ist ein 100-V-Einfach-N-Kanal-IR-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Verwandte Links